Abstract
Döndürerek kaplama yöntemiyle hazırlanan top tipi çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerin dielektrik durulma davranışları 5 Hz. ile 13x10 6 Hz frekans aralığında sıcaklığa bağlı olarak (298 K – 468 K sıcaklık aralığında) empedans spektroskopi yöntemiyle incelenmiştir. Elde edilen verilerin modellenmesinde sistemin dielektrik davranışının paralel RC eşdeğer devre ile temsil edilebileceği görülmüştür. Filmlerde ac iletkenliğin frekansa bağlılığının ω m şeklinde olduğu ve frekansın üssü olan m parametresinin kuvvetle sıcaklığa bağlı olduğu gözlemlenmiştir. Deneysel olarak elde edilen ac iletkenlik verileri iki farklı model kullanılarak analiz edilmiştir. Frekansın üssü olan m parametresinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde çinko (II) ftalosiyanin ince filmlerde ac yük iletiminin hoplama mekanizması sayesinde gerçekleştiği sonucuna varılmıştır.